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제품 소개기억 IC 칩

4Mb 평행한 기억 IC 칩 낮은 비상 전원 7mW CMOS 대기 IS61WV25616BLL-10TLI

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4Mb 평행한 기억 IC 칩 낮은 비상 전원 7mW CMOS 대기 IS61WV25616BLL-10TLI

중국 4Mb 평행한 기억 IC 칩 낮은 비상 전원 7mW CMOS 대기 IS61WV25616BLL-10TLI 협력 업체

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제품 상세 정보:

원래 장소: 실물
브랜드 이름: Original Manufacturer
인증: Rosh
모델 번호: IS61WV25616BLL-10TLI

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량: 1
가격: Negotiation
포장 세부 사항: 원래 포장
배달 시간: 재고 있음
지불 조건: TT, Paypal, 서부 동맹 등
공급 능력: 80,000
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상세 제품 설명
부분 상태: 활동적인 기억 유형: 휘발성
기억 체재: SRAM 과학 기술: SRAM - 비동시성
기억 용량: 4Mb (256K x 16) 주기 시간 - 낱말, 페이지를 쓰십시오: 10ns
접근 시간: 10ns 기억 공용영역: 평행선

 

IS61WV25616BLL-10TLI 기억 IC 칩 SRAM - 비동시성 기억 IC 4Mb (256K x 16) 평행선 10ns 44-TSOP II

 

특징

고속: (IS61/64WV25616ALL/BLL)

• 고속 접근 시간: 8, 10, 20 ns

• 낮은 유효 동력: (전형) 85 MW

• 낮은 비상 전원: 7 MW (전형적인) CMOS 대역

저출력: (IS61/64WV25616ALS/BLS)

• 고속 접근 시간: 25, 35, 45 ns

• 낮은 유효 동력: (전형) 35 MW

• 낮은 비상 전원: 0.6 MW (전형적인) CMOS 대역

• 단 하나 전력 공급

— VDD 1.65V에 2.2V (IS61WV25616Axx)

— VDD 2.4V에 3.6V (IS61/64WV25616Bxx)

• 완전히 정체되는 가동: 아무 시계도 또는 필수를 상쾌하게 하지 않습니다

• 3 국가 산출

• 위와 더 낮은 바이트를 위한 자료 제어

• 산업과 자동 온도 지원

• 무연 유효한

기능적인 구역 도표

묘사

ISSI IS61WV25616Axx/Bxx와 IS64WV25616Bxx

고속, 16 조금에 의해 262,144의 단어로 편성된 4,194,304 조금 정체되는 램은 입니다. 그것은 ISSI의 고성능 CMOS 기술을 사용하여 날조됩니다. 이 혁신적인 회로 설계 기술로 결합되는 고신뢰 직업적인 cess,

고성능 수확량과 저출력 consumption de vices.

 

세륨이 높을 (훈련에서 빼는) 때, 장치는 전력 흩어지기가 CMOS 입력 수준으로 아래로 감소될 수 있는 대기 상태를 추측합니다.

 

쉬운 기억 장소 확장은 칩을 이용하여 가능하게 합니다 제공되고 출력하기 위하여 입력, 세륨OE를 가능하게 하십시오. 활동적인 낮은것은 가능하게 합니다 기억의 (WE) 통제 쓰기 그리고 독서를 둘 다 씁니다. 바이트 자료는 위 바이트 (UB) 및 바이트 (LB) 더 낮은 접근을 허용합니다.

 

IS61WV25616Axx/Bxx 및 IS64WV25616Bxx는 JEDEC 표준 44 핀 TSOP 유형 II 및 48 핀 소형 BGA (6mm x 8mm)에서 포장됩니다.

DC 전기 특성 (운영 범위에)

VDD = 3.3V + 5%

 

상징 모수 테스트 조건 사소. 최대. 단위
VOH 산출 고전압 VDD = Min., IOH = – 4.0 mA 2.4 V
VOL 산출 낮은 전압 VDD = Min., IOL = 8.0 mA 0.4 V
VIH 입력 고전압   2 VDD + 0.3 V
VIL 입력 낮은 전압 (1)   – 0.3 0.8 V
ILI 입력 누설 £ VDD에서 GND £ V – 1 1 µA
ILO 산출 누설 GND £ V밖으로 £ VDD의 무능하게 하는 산출 – 1 1 µA

주:

1. V (사소)IL = – 0.3V DC; V (사소)IL = – 2.0V AC (맥박 폭 < 10="" ns="">

V 최대IH (.) = VDD + 0.3V DC; V 최대IH (.) = VDD + 2.0V AC (맥박 폭 < 10="" ns="">

 

 

DC 전기 특성 (운영 범위에)

VDD = 2.4V-3.6V

 

상징 모수 테스트 조건 사소. 최대. 단위
VOH 산출 고전압 VDD = Min., IOH = – 1.0 mA 1.8 V
VOL 산출 낮은 전압 VDD = Min., IOL = 1.0 mA 0.4 V
VIH 입력 고전압   2.0 VDD + 0.3 V
VIL 입력 낮은 전압 (1)   – 0.3 0.8 V
ILI 입력 누설 £ VDD에서 GND £ V – 1 1 µA
ILO 산출 누설 GND £ V밖으로 £ VDD의 무능하게 하는 산출 – 1 1 µA

주:

1. V (사소)IL = – 0.3V DC; V (사소)IL = – 2.0V AC (맥박 폭 < 10="" ns="">

V 최대IH (.) = VDD + 0.3V DC; V 최대IH (.) = VDD + 2.0V AC (맥박 폭 < 10="" ns="">

 

 

DC 전기 특성 (운영 범위에)

VDD = 1.65V-2.2V

 

상징 모수 테스트 조건 VDD 사소. 최대. 단위
VOH 산출 고전압 IOH = -0.1 mA 1.65-2.2V 1.4 V
VOL 산출 낮은 전압 IOL = 0.1 mA 1.65-2.2V 0.2 V
VIH 입력 고전압   1.65-2.2V 1.4 VDD + 0.2 V
VIL (1) 입력 낮은 전압   1.65-2.2V – 0.2 0.4 V
ILI 입력 누설 £ VDD에서 GND £ V – 1 1 µA
ILO 산출 누설 GND £ V밖으로 £ VDD의 무능하게 하는 산출 – 1 1 µA

주:

1. V (사소)IL = – 0.3V DC; V (사소)IL = – 2.0V AC (맥박 폭 < 10="" ns="">

V 최대IH (.) = VDD + 0.3V DC; V 최대IH (.) = VDD + 2.0V AC (맥박 폭 < 10="" ns="">

AC 테스트 조건

 

모수 단위 단위 단위
  (2.4V-3.6V) (3.3V +10%) (1.65V-2.2V)
InputPulseLevel 0Vto3V 0Vto3V 0Vto1.8V
입력 상승과 낙하시간 1V/ ns 1V/ ns 1V/ ns
InputandOutputTiming andReferenceLevel (VRef) 1.5V 1.5V 0.9V
OutputLoad 숫자 1과 2를 보십시오 숫자 1과 2를 보십시오 숫자 1과 2를 보십시오

연락처 세부 사항
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

담당자: Cary

전화 번호: +8613760106370

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